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英諾賽科650V增強(qiáng)型氮化鎵GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管INN650D01

2023-06-29 10:49      英諾賽科INN650D01   650V增強(qiáng)型氮化鎵GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管    瀏覽次數(shù):()
英諾賽科Innoscience)650V增強(qiáng)型氮化鎵GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管INN650D01,助力PD快充高效高功率密度設(shè)計(jì)

英諾賽科Innoscience)INN650D01主要是應(yīng)用于快充等市場(chǎng),實(shí)現(xiàn)高效高功率密度設(shè)計(jì)。

采用硅Si MOSFET技術(shù)和采用氮化鎵GaN技術(shù),在同樣采用ACF電路設(shè)計(jì)的條件下數(shù)據(jù)對(duì)比如下:

(一)45W PD快充對(duì)比

(1)采用硅Si MOSFET技術(shù),45W快充:功率密度9W/in3,效率91%@90VAC輸入,100%負(fù)載的情況下。

(2)采用氮化鎵GaN技術(shù),45W的快充:功率密度14W/in3,效率93%@90VAC輸入,100%負(fù)載的情況下。


 

(二)65W PD快充對(duì)比:

(1)采用硅Si MOSFET技術(shù),65W的快充:功率密度10W/in3,效率91%@90VAC輸入,100%負(fù)載的情況下。

(2)采用氮化鎵GaN技術(shù),65W的快充:功率密度20.5W/in3,效率93%@90VAC輸入,100%負(fù)載的情況下。

 

通過(guò)以上兩組數(shù)據(jù)對(duì)比,可以看出相比于傳統(tǒng)的硅Si MOSFET技術(shù),采用氮化鎵GaN MOSFET技術(shù)具有如下優(yōu)勢(shì)

(1)效率提高:在效率上實(shí)現(xiàn)2%的提升。

(2)功率密度提高:在功率密度上45W提升5W/in3,65W更是提升了10.5W/in3。

(3)體積縮?。弘S著功率密度的提升,產(chǎn)品的體積就往更加小型化發(fā)展,45W的體積在原有基礎(chǔ)上減小35%,65W的體積相當(dāng)于減小50%也就是說(shuō)體積能夠減小一半左右。

英諾賽科650V增強(qiáng)型氮化鎵GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管INN650D01

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